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内存行业最新动态

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AI芯片热潮下,被压榨的芯片设备供应商
2026-07-13
他们施加了一种‘无声的压力’,声称由于人工智能的推动,订单增加,销售额上升,我们应该让步。供应链不稳定,原材料价格上涨,劳动力成本也成为负担,但供应价格本身并没有太大变化。
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台积电三星,纷纷涨价
2026-07-09
随着人工智能(AI)芯片领域投资的不断增长,晶圆代工(芯片代工制造)市场的定价模式正在发生变化。全球最大的晶圆代工厂台积电去年提高了先进工艺节点的价格,今年再次上调;三星电子也提高了部分工艺节点的供货价格。
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三星DRAM合约价再涨30%,AI需求持续推高存储芯片价格
2026-04-16
2026年4月,三星电子正式公布最新一轮DRAM合约价调整方案,面向服务器、消费电子等领域的DRAM产品价格环比上涨30%,这已是连续第三个季度DRAM价格保持两位数增长。
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消息称三星2nm工艺良率已突破60%,与台积电基本持平
2026-03-30
据韩媒The Elec独家爆料,三星电子位于华城的3号线工厂已实现2nm制程工艺良率突破60%,这一数据与台积电同级别工艺的良率水平基本持平。
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【网通社快报】美光CEO:L4级自动驾驶普及后单车内存需求将超300GB
2026-03-24
在2026年全球汽车电子展上,美光科技CEO Sanjay Mehrotra公开表示,随着L4级自动驾驶技术的商业化落地,单辆自动驾驶汽车的内存需求将从当前的80GB左右飙升至300GB以上。
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英伟达联手三星推进铁电NAND商业化:AI时代的内存革命
2026-03-16
英伟达与三星电子于近日宣布达成深度合作,双方将联合推进铁电NAND闪存的商业化进程,首款产品预计2027年正式上市。
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长江存储128层QLC 3D NAND实现量产,国产存储芯片再突破
2026-03-08
长江存储科技有限责任公司正式宣布,其自主研发的128层QLC规格3D NAND闪存芯片已实现大规模量产,良品率稳定在85%以上。
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SK海力士发布HBM4高带宽内存,带宽突破1TB/s创行业纪录
2026-02-28
韩国SK海力士在2026年国际固态电路会议(ISSCC)上发布了新一代HBM4高带宽内存产品,该产品采用96层堆叠技术,单颗芯片容量达到64GB。
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铠侠宣布NAND闪存涨价15%,消费级固态硬盘价格或迎反弹
2026-02-15
日本铠侠(Kioxia)近日向全球渠道商发布通知,自2026年3月起,旗下全系列NAND闪存芯片价格上调15%,这是铠侠自2025年下半年以来首次涨价。
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全球内存大厂联合承诺:2030年实现存储芯片生产碳中和
2026-01-30
在2026年世界经济论坛上,三星、SK海力士、美光、铠侠、长江存储等全球十大内存厂商联合签署《存储芯片碳中和宣言》,承诺到2030年实现存储芯片生产全流程碳中和。
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